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2025年7月15日 星期二 17:38:51
业界要闻
ASML设计1nm制程光刻设备
发布时间:2020-12-02   

      据外媒报道,日前在日本东京举行的ITFIMEC Technology Forum,.ITF)论坛上,与荷兰半导体大厂ASML合作研发半导体光刻机的比利时半导体研究机构IMEC正式公布了3nm及以下制程在微缩层面的相关技术细节。

 

      根据IMEC所公布的内容来分析,ASML对于3nm2nm1.5nm1nm,甚至是小于1nm的制程都做了清楚的发展规划,意味着ASML基本上已经能开发1nm制程的光刻设备了。

 

      报道指出,在论坛上,IMEC公司总裁兼执行长Luc Van den hove强调,将继续把制程技术微缩到1nm及以下。对此,IMEC也提出了从3nm2nm1.5nm1nm,甚至是小于1nm以下的逻辑元件制程微缩路线图。

 

      根据先前晶圆大工大厂台积电和三星电子介绍,从7nm制程技术开始,部分制程技术已经推出了NA=0.33EUV光刻设备,5nm制程技术也达成了频率的提升,但对于2nm以后的超精细制程技术,则依然需要能够达成更高的识别率和更高NANA=0.55)的光刻设备。

 

      对此,目前ASML也已经完成了作为NXE:5000系列的高NA EUV光刻设备的基本设计,但商业化的时间则是预计最快在2022年左右。不过,这套下一世代的光刻设备将因其庞大的光学系统,使得整套设备将变得非常巨大。

 

      事实上,过去一直与IMEC紧密合作开发半导体光刻技术,但为了开发使用高NA EUV光刻设备,ASMLIMEC的园区内成立了新的“IMEC-ASMLNA EUV”实验室,以达成共同开发和开发使用高NA EUV光刻设备的相关技术。此外,该公司还计划与材料供应商合作,进一步进行光罩和光阻剂。

 

      Van den hove还指出,逻辑元件制程技术微缩的目的是为了降低功耗、提高性能、减少面积、以及降低成本,也就是通常所说的PPAC。除了这4个目标外,随着制程向3nm2nm1.5nm,甚至超越1nm而达到小于1nm以下的制程之际,将努力实现可持续发展微处理器制程技术,以满足对未来先进科技应用的需求。